Изложены результаты исследований электронных процессов в МДП-структурах и разработки фоточувствительных приборов на их основе. Внимание уделено структурам из высокоомных полупроводников и преобразователям изображений на их основе. Рассмотрены вопросы технологии и конструирования преобразователей изображений на структурах с распределенными параметрами, матричных формирователей сигналов изображений. Приводятся сведения о характеристиках приборов и рекомендации по применению приборов в информационных системах. Для ИТР, занимающихся полупроводниковыми приборами и оптической обработкой информации.