IRF6727MTRPBF, транзистор полевой N-канальный DirectFET Power MOSFET (30 В, 32 А, 1.22 миллиОм, 89 Вт), IR International Rectifier.Данный транзистор применяется для ремонта блока управления ЭУР Lada Kalina, Lada Granta, Datsun. ●Соответствует требованиям RoHS и не содержит галогенов ●Низкий профиль (<0,7 мм) ●Совместимость с двусторонним охлаждением ●Сверхнизкая индуктивность корпуса ●Оптимизирован для высокочастотной коммутации ●Идеально подходит для преобразователей постоянного тока в процессорное ядро ●Оптимизирован для обеих синхронизаций.FET и некоторые управляющие приложения FET ●Низкие потери на проводимость и переключение ●Совместимость с существующими методами поверхностного монтажа ●100% Rg протестирован IRF6727MPbF сочетает в себе новейшую кремниевую технологию HEXFET® Power MOSFET с усовершенствованной упаковкой DirectFETTM для достижения самого низкого сопротивления в рабочем состоянии в корпусе размером MICRO-8 и профилем всего 0,7 мм. Пакет DirectFET совместим с существующей геометрией компоновки, используемой в системах электроснабжения, оборудовании для сборки печатных плат и методах парофазной, инфракрасной или конвекционной пайки, при соблюдении инструкции по применению AN-1035 в отношении методов и процессов изготовления. Пакет DirectFET обеспечивает двустороннее охлаждение для максимальной теплопередачи в энергосистемах, улучшая предыдущее наилучшее тепловое сопротивление на 80%. IRF6727MPbF уравновешивает как низкое сопротивление, так и низкий заряд наряду со сверхнизкой индуктивностью корпуса, что позволяет снизить как потери на проводимость, так и потери при переключении. Сниженные общие потери делают этот продукт идеальным для высокоэффективных преобразователей постоянного тока, которые питают процессоры последнего поколения, работающие на более высоких частотах. IRF6727MPbF был оптимизирован для параметров, которые являются критическими в синхронном усилителе работает от 12-вольтовых шинных преобразователей, включая Rds (вкл.) и заряд затвора для минимизации потерь. ●Пакет: DIRECTFET MX ●Тип полевого транзистора: N каналов ●Технология: MOSFET ●Напряжение стока-источника (Vdss): 30 В ●Ток при 25°C -непрерывный разряд (Id): 32A (Ta), 180A (Tc) ●Управляющее напряжение (максимальное Rds включено, минимальное Rds включено): 4,5 В, 10 В ●Сопротивление включения (макс.) при различных Id, Vgs: 1,7 мОм @ 32A, 10V ●Vgs(th) (максимальное значение) при разных идентификаторах: 2.35V@100µA ●Заряд затвора (Qg) (максимальное значение) при различных напряжениях: 74 нС @ 4,5 В ●Vgs (максимальное значение): ±20 В ●Входная емкость (Снпч) (максимальное значение) при различных Vds: 6190 пФ @ 15 В ●Рассеиваемая мощность (максимальное значение): 2,8 Вт (Ta), 89 Вт (Tc) ●Рабочая температура: -40°C~150°C (TJ)