- Электроника
- Комплектующие для ПК
- Оперативная память
- Patriot Memory
−64%
Рассрочка 0-0-6
Цена что надо
Patriot Memory Оперативная память Оперативная память_//3312345-23 1x4 ГБ (1639884)
Бренд
О товаре
Перейти к описанию
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Емкость одного модуля
4 ГБ
Тип памяти
DDR4
Пропускная способность, Мб/с
21300
Фото и видео покупателей
13 771 ₸ 38 697 ₸
Часто задаваемые вопросы
Описание
ОписаниеОперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD44G266681S] 4 ГБ выполнена в форм-факторе SODIMM, что позволяет применять ее в ноутбуке с поддержкой памяти DDR4 и наличием незанятого слота под модуль ОЗУ. Использовать эту одиночную планку объемом 4 ГБ стоит в том случае, если быстродействие вашего ноутбука больше не устраивает вас. Память с пропускной способностью PC21300 и возможностью работы с тактовой частотой 2666 МГц может выступать средством модернизации портативного компьютера. Если в ноутбуке используется модуль ОЗУ с худшими показателями эффективности, вы сможете установить планку вместо него.
Оперативная память SODIMM Patriot Signature Line [PSD44G266681S] снабжается 16 чипами памяти, установленными по обеим сторонам платы из черного текстолита. Планка рассчитана на работу при напряжении питания на входе 1.2 В. Она имеет тайминги 19-19-19-39 и отличается малым энергопотреблением.
Характеристики:
Страна-производитель: Тайвань (Китай)
Тип: оперативная память
Модель: Patriot Signature Line
Тип памяти: DDR4
Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 ГБ
Объем одного модуля памяти: 4 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Частота: 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 39
Количество чипов модуля: 16
Двухсторонняя установка чипов: есть
Напряжение питания: 1.2 В
Характеристики:
Страна-производитель: Тайвань (Китай)
Тип: оперативная память
Модель: Patriot Signature Line
Тип памяти: DDR4
Суммарный объем памяти всего комплекта: 4 ГБ
Объем одного модуля памяти: 4 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1 шт
Частота: 2666 МГц
CAS Latency (CL): 19
RAS to CAS Delay (tRCD): 19
Row Precharge Delay (tRP): 19
Activate to Precharge Delay (tRAS): 39
Количество чипов модуля: 16
Двухсторонняя установка чипов: есть
Напряжение питания: 1.2 В
Комплектация
Оперативная память - 1 шт.
Гарантийный срок
13 дней
Тайминги
- CAS Latency (CL), тактов
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD), тактов
- 19
- Row Precharge Delay (tRP), тактов
- 19
- Active to Precharge Delay (tRAS), тактов
- 39
Конструкция
- Низкопрофильная (Low Profile)
- Нет
- Подсветка
- Нет
- Размеры, мм
- 100
- Вес товара, г
- 100
Основные
- Суммарный объем памяти
- 4 ГБ
- Количество модулей в комплекте
- 1
- Емкость одного модуля
- 4 ГБ
- Тип памяти
- DDR4
- Пропускная способность, Мб/с
- 21300
- Тактовая частота, МГц
- 2666
- Форм-фактор RAM
- SO-DIMM
Дополнительные
- Артикул
- 1602604787
- Бренд
- Patriot Memory
- Напряжение питания, В
- 1.2
- Страна-изготовитель
- Китай (Тайвань)
Подборки товаров в категории Оперативная память
Отзывы о товаре
0
Patriot Memory Оперативная память Оперативная память_//3312345-23 1x4 ГБ (1639884)
Нет оценок
Вопросы и ответы 0
Как правильно задавать вопросы?
Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь
Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией
Как отвечать на вопросы?
Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.
Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.